Νέες και ανανεωμένες μνήμες για κάρτες γραφικών ετοιμάζει η Samsung οι οποίες θα αποτελέσουν το αντίπαλο δέος των HBM.
Με τον νέο τύπο GDDR6W, η Samsung παρουσιάζει ένα νέο πρότυπο για κάρτες γραφικών που θα μπορούν να καλύψουν τη διαφορά του bandwidth των HBM σε σχέση με τις απλές GDDR.
Χάρη σε μια νέα διαδικασία stacking (στοίβαξης) που ονομάζεται ‘Fan-out Wafer-Level Packaging’ (FOWLP), ο νέος τύπος μνήμης που παρουσίασε η Samsung φέρεται ότι προσφέρει διπλάσια χωρητικότητα και ρυθμό μεταφοράς δεδομένων από τις GDDR6, έχοντας το ίδιο μέγεθος.
Το βασικό ερώτημα – όπως άλλωστε θα είναι πάντα – είναι η κατασκευαστική μέθοδος και το κόστος της. Με τις GDDR6W η Samsung υπόσχεται διπλάσια χωρητικότητα και bandwidth από τις απλές GDDR6 που συναντάμε σε πολλές κάρτες γραφικών χάρη στη νέα stacking μέθοδο FOWLP.
Η μέθοδος ακολουθεί σχεδόν κατά γράμμα τη σχεδίαση των νέων Radeon RX 7900 XT(X), τοποθετώντας τα chips επάνω στο βασικό chip πυριτίου και όχι στο PCB όπως συνηθίζεται. Εδώ να τονίζουμε ότι με το PCB δεν εννοούμε το μεγάλο PCB μιας κάρτας γραφικών, αλλά το ίδιο το PCB που έχει στο κάτω μέρος του κάθε memory chip, το οποίο δεν φαίνεται από το επάνω μέρος της GPU.
Χωρίς την ύπαρξη PCB κάτω από τις μνήμες το συνολικό ύψος τους μειώνεται κατά 36%, σύμφωνα με τις μετρήσεις της Samsung, ενώ με την ύπαρξη στοιχείων που μεταφέρουν θερμότητα, η ψύξη αναμένεται σημαντικά βελτιωμένη από τις τυπικές GDDR6.
Από πλευράς bandwidth, οι νέες μνήμες υπόσχονται ταχύτητα 1.4TB/s, ή αλλιώς 22 Gb/s ανά pin σε μια διαρρύθμιση με εύρος διαύλου 512-bit. Για σύγκριση, οι HBM2E έρχονται με bandwidth τα 1.6TB/s.
Για την ώρα, δε γίνεται λόγος για την desktop αγορά, και οι GDDR6W ίσως καταλήξουν, πέρα από το HPC (High Performance Computing), στην αγορά των φορητών υπολογιστών.
